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3、NPT-IGBT2、U-IGBT内蒙古自治区FZ2400R12KF4,图片大量现货内蒙古自治区FZ2400R12KF4,图片大量现货内蒙古自治区FZ2400R12KF4,图片大量现货FZ2400R12KF4FZ2400R12KF4FZ2400R12KF4IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。4、SDB--IGBTMOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。内蒙古自治区FZ2400R12KF4,图片大量现货内蒙古自治区FZ2400R12KF4,图片大量现货内蒙古自治区FZ2400R12KF4,图片大量现货判断好坏FZ2400R12KF4
