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缺点：击穿电压低，工作电流小。山西省FZ2400R17HP4_B9,图片大量现货山西省FZ2400R17HP4_B9,图片大量现货山西省FZ2400R17HP4_B9,图片大量现货FZ2400R17HP4_B9FZ2400R17HP4_B9FZ2400R17HP4_B9IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图模块简介5、超快速IGBT山西省FZ2400R17HP4_B9,图片大量现货山西省FZ2400R17HP4_B9,图片大量现货山西省FZ2400R17HP4_B9,图片大量现货U（沟槽结构）--IGBT是在管芯上刻槽，芯片元胞内部形成沟槽式栅极。采用沟道结构后，可进一步缩小元胞尺寸，沟道电阻，进步电流密度，制造相同额定电流而芯片尺寸少的产品。现有多家公司生产各种U—IGBT产品，适用低电压驱动、表面贴装的要求。FZ2400R17HP4_B9
