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重庆FF600R06ME3,销售大量现货
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主要优点：热性好、工作区大。MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。重庆FF600R06ME3,销售大量现货重庆FF600R06ME3,销售大量现货重庆FF600R06ME3,销售大量现货FF600R06ME3FF600R06ME3FF600R06ME3IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图模块简介5、超快速IGBT重庆FF600R06ME3,销售大量现货重庆FF600R06ME3,销售大量现货重庆FF600R06ME3,销售大量现货缺点：击穿电压低，工作电流小。IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融合了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压而容量大的优点，其特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz范围内，在现代电力电子技术中了越来越广泛的应用，在较高的大、率应用中占据了主导地位。FF600R06ME3
