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山东省FZ1600R17KF6C_B2,销售大量现货
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缺点：击穿电压低，工作电流小。特点：击穿电压可达1200V，集电极大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作可达20kHz。山东省FZ1600R17KF6C_B2,销售大量现货山东省FZ1600R17KF6C_B2,销售大量现货山东省FZ1600R17KF6C_B2,销售大量现货FZ1600R17KF6C_B2FZ1600R17KF6C_B2FZ1600R17KF6C_B2IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。判断好坏4、SDB--IGBT山东省FZ1600R17KF6C_B2,销售大量现货山东省FZ1600R17KF6C_B2,销售大量现货山东省FZ1600R17KF6C_B2,销售大量现货7、IGBT功率模块FZ1600R17KF6C_B2
