产品名称：黑龙江省FZ1200R12KF4,选型大量现货

MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用　表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。此同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。黑龙江省FZ1200R12KF4,选型大量现货黑龙江省FZ1200R12KF4,选型大量现货黑龙江省FZ1200R12KF4,选型大量现货FZ1200R12KF4FZ1200R12KF4FZ1200R12KF4IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图6、IGBT/FRD特点：击穿电压可达1200V，集电极大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作可达20kHz。IGBT（绝缘栅双极晶体管）作为新型电力半导体场控自关断器件，集功率MOSFET的高速性能与双极件的低电阻于一体，具有输进阻抗高，电压控制功耗低，控制电路简单，耐高压，承受电流大等特性，在各种电力变换中极广泛的应用。与此同时，各大半导体生产厂商不断IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠、低本钱技术，主要采用1um以下制作工艺，研制取得一些新进展。 [3] NPT（非穿通型）--IGBT采用薄硅片技术，以离子注进发射区代替高复杂、高本钱的厚层高阻外延，可生产本钱25%左右，耐压越高本钱差越大，在性能上更具有特色，高速、低损耗、正温度系数，无锁定效应，在设计600—1200V的IGBT时，NPT—IGBT可靠性高。西门子公司可提供600V、1200V、1700V系列产品和6500V高压IGBT，并推出低饱和压降DLC型NPT—IGBT，依克赛斯、哈里斯、英特西尔、东芝等公司也相继研制出NPT—IGBT及其模块系列，富士电机、摩托罗拉等在研制之中，NPT型正成为IGBT发展方向。黑龙江省FZ1200R12KF4,选型大量现货黑龙江省FZ1200R12KF4,选型大量现货黑龙江省FZ1200R12KF4,选型大量现货IGBT与MOSFET的对比：FZ1200R12KF4