产品详情
简单介绍：
海南省FF400R12KE3_3,价格 大量现货
详情介绍：
首先将万用表拨在R×1KΩ挡，用万用表测量时，若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则判断此极为栅极(G )其余两极再用万用表测量，若测得阻值为无穷大，调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中，则判断红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发射极(E)。IGBT与MOSFET的对比：海南省FF400R12KE3_3,价格 大量现货海南省FF400R12KE3_3,价格 大量现货海南省FF400R12KE3_3,价格 大量现货FF400R12KE3_3FF400R12KE3_3FF400R12KE3_3IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图3、NPT-IGBTU（沟槽结构）--IGBT是在管芯上刻槽，芯片元胞内部形成沟槽式栅极。采用沟道结构后，可进一步缩小元胞尺寸，沟道电阻，进步电流密度，制造相同额定电流而芯片尺寸少的产品。现有多家公司生产各种U—IGBT产品，适用低电压驱动、表面贴装的要求。MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。海南省FF400R12KE3_3,价格 大量现货海南省FF400R12KE3_3,价格 大量现货海南省FF400R12KE3_3,价格 大量现货判断好坏FF400R12KE3_3
