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任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用　表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。此同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。缺点：击穿电压低，工作电流小。广西壮族自治区2SP0320V2AO-FF1000R17IE4,销售大量现货广西壮族自治区2SP0320V2AO-FF1000R17IE4,销售大量现货广西壮族自治区2SP0320V2AO-FF1000R17IE4,销售大量现货2SP0320V2AO-FF1000R17IE42SP0320V2AO-FF1000R17IE42SP0320V2AO-FF1000R17IE4IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图3、NPT-IGBTIGBT应用范围一般都在600V、1KA、1KHz以上区域，为家电行业的发展需求，摩托罗拉、ST半导体、三菱等公司推出低功率IGBT产品，实用于家电行业的微波炉、洗衣机、电磁灶、电子整流器、照相机等产品的应用。7、IGBT功率模块广西壮族自治区2SP0320V2AO-FF1000R17IE4,销售大量现货广西壮族自治区2SP0320V2AO-FF1000R17IE4,销售大量现货广西壮族自治区2SP0320V2AO-FF1000R17IE4,销售大量现货将万用表拨在R×10KΩ挡，用黑表笔接IGBT 的集电极(C)，红表笔接IGBT 的发射极(E)，此时万用表的指针在零位。用同时触及一下栅极(G)和集电极(C)，这时IGBT 被触发导通，万用表的指针摆向阻值较小的方向，并能站住指示在某一位置。然后再用同时触及一下栅极(G)和发射极(E)，这时IGBT 被，万用表的指针回零。此时即可判断IGBT 是好的。主要优点：热性好、工作区大。2SP0320V2AO-FF1000R17IE4