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四川省6MBI300V-120-50,图片大量现货
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输出特性与转移特性：四川省6MBI300V-120-50,图片大量现货四川省6MBI300V-120-50,图片大量现货四川省6MBI300V-120-50,图片大量现货6MBI300V-120-506MBI300V-120-506MBI300V-120-50IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图4、SDB--IGBT四川省6MBI300V-120-50,图片大量现货四川省6MBI300V-120-50,图片大量现货四川省6MBI300V-120-50,图片大量现货6、IGBT/FRD特点：击穿电压可达1200V，集电极大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作可达20kHz。6MBI300V-120-50
