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7、IGBT功率模块鉴于目前厂家对IGBT的非常，三星、快捷等公司采用SDB（硅片直接键合）技术，在IC生产线上制作高速IGBT及模块系列产品，特点为高速，低饱和压降，低拖尾电流，正温度系数易于并联，在600V和1200V电压范围性能优良，分为UF、RUF两大。广西壮族自治区6MBI225V-170-50,图片大量现货广西壮族自治区6MBI225V-170-50,图片大量现货广西壮族自治区6MBI225V-170-50,图片大量现货6MBI225V-170-506MBI225V-170-506MBI225V-170-50IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图4、SDB--IGBT广西壮族自治区6MBI225V-170-50,图片大量现货广西壮族自治区6MBI225V-170-50,图片大量现货广西壮族自治区6MBI225V-170-50,图片大量现货MOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。判断好坏6MBI225V-170-50
