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澳门1SD418F2-5SAN1200E330,图片大量现货

产品名称: 澳门1SD418F2-5SAN1200E330,图片大量现货
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IGBT与MOSFET的对比:1、低功率IGBT澳门1SD418F2-5SAN1200E330,图片大量现货澳门1SD418F2-5SAN1200E330,图片大量现货澳门1SD418F2-5SAN1200E330,图片大量现货1SD418F2-5SAN1200E3301SD418F2-5SAN1200E330澳门1SD418F2-5SAN1200E330,图片大量现货
左边所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+区称为源区,附于其上的电极称为源极(即发射极E)。N基极称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极(即门极G)。沟道在栅区边界形成。在C、E两极之间的P型区(包括P+和P-区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区(Subchannel region)。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区(Drain injector),它是IGBT特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极(即集电极C)缺点:击穿电压低,工作电流小。模块简介5、超快速IGBTIGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写,IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,它融合了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压而容量大的优点,其特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz范围内,在现代电力电子技术中了越来越广泛的应用,在较高的大、率应用中占据了主导地位。澳门1SD418F2-5SAN1200E330,图片大量现货澳门1SD418F2-5SAN1200E330,图片大量现货澳门1SD418F2-5SAN1200E330,图片大量现货1SD418F2-5SAN1200E3301SD418F2-5SAN1200E330。
IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流,使IGBT导通。反之,加反向门极电压沟道,切断基极电流,使IGBT关断。IGBT的驱动和MOSFET基本相同,只需控制输入极N-沟道MOSFET,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后,从P+基极注入到N-层的空穴(少子),对N-层进行电导调制,减小N-层的电阻,使IGBT在高电压时,也具有低的通态电压U(沟槽结构)--IGBT是在管芯上刻槽,芯片元胞内部形成沟槽式栅极。采用沟道结构后,可进一步缩小元胞尺寸,沟道电阻,进步电流密度,制造相同额定电流而芯片尺寸少的产品。现有多家公司生产各种U—IGBT产品,适用低电压驱动、表面贴装的要求。输出特性与转移特性:整流器IR公司的研发重点在于IGBT的拖尾效应,使其能快速关断,研制的超快速IGBT可大限度地拖尾效应,关断时间不超过2000ns,采用特殊高能照射分层技术,关断时间可在100ns以下,拖尾更短,重点产品专为电机控制而设计,现有6种型号,另可用在大功率电源变换器中。澳门1SD418F2-5SAN1200E330,图片大量现货澳门1SD418F2-5SAN1200E330,图片大量现货澳门1SD418F2-5SAN1200E330,图片大量现货澳门1SD418F2-5SAN1200E330,图片大量现货澳门1SD418F2-5SAN1200E330,图片大量现货1SD418F2-5SAN1200E3301SD418F2-5SAN1200E3301SD418F2-5SAN1200E3301SD418F2-5SAN1200E330
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