产品资料

澳门FZ1800R12HP4_B9,销售大量现货

产品名称: 澳门FZ1800R12HP4_B9,销售大量现货
产品型号:
产品展商: JOONGWON
产品文档: 无相关文档

简单介绍

澳门FZ1800R12HP4_B9,销售大量现货


澳门FZ1800R12HP4_B9,销售大量现货  的详细介绍
6、IGBT/FRD检测注意事项将万用表拨在R×10KΩ挡,用黑表笔接IGBT 的集电极(C),红表笔接IGBT 的发射极(E),此时万用表的指针在零位。用同时触及一下栅极(G)和集电极(C),这时IGBT 被触发导通,万用表的指针摆向阻值较小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用同时触及一下栅极(G)和发射极(E),这时IGBT 被,万用表的指针回零。此时即可判断IGBT 是好的。澳门FZ1800R12HP4_B9,销售大量现货澳门FZ1800R12HP4_B9,销售大量现货澳门FZ1800R12HP4_B9,销售大量现货FZ1800R12HP4_B9FZ1800R12HP4_B9FZ1800R12HP4_B9IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性,但是在高电平时,功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降,转换成一个低VCE(sat)的能力,以及IGBT的结构,同一个双极器件相比,可支持更高电流密度,并简化IGBT驱动器的原理图首先将万用表拨在R×1KΩ挡,用万用表测量时,若某一极与其它两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大,则判断此极为栅极(G )其余两极再用万用表测量,若测得阻值为无穷大,调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中,则判断红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发射极(E)。NPT(非穿通型)--IGBT采用薄硅片技术,以离子注进发射区代替高复杂、高本钱的厚层高阻外延,可生产本钱25%左右,耐压越高本钱差越大,在性能上更具有特色,高速、低损耗、正温度系数,无锁定效应,在设计600—1200V的IGBT时,NPT—IGBT可靠性高。西门子公司可提供600V、1200V、1700V系列产品和6500V高压IGBT,并推出低饱和压降DLC型NPT—IGBT,依克赛斯、哈里斯、英特西尔、东芝等公司也相继研制出NPT—IGBT及其模块系列,富士电机、摩托罗拉等在研制之中,NPT型正成为IGBT发展方向。模块简介澳门FZ1800R12HP4_B9,销售大量现货澳门FZ1800R12HP4_B9,销售大量现货澳门FZ1800R12HP4_B9,销售大量现货缺点:击穿电压低,工作电流小。2、U-IGBTFZ1800R12HP4_B9
产品留言
标题
联系人
联系电话
内容
验证码
点击换一张
注:1.可以使用快捷键Alt+S或Ctrl+Enter发送信息!
2.如有必要,请您留下您的详细联系方式!

京公网安备 11022802180403号