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澳门FZ800R17KF6C_B2,销售大量现货

产品名称: 澳门FZ800R17KF6C_B2,销售大量现货
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澳门FZ800R17KF6C_B2,销售大量现货


澳门FZ800R17KF6C_B2,销售大量现货  的详细介绍
5、超快速IGBT4、SDB--IGBT澳门FZ800R17KF6C_B2,销售大量现货澳门FZ800R17KF6C_B2,销售大量现货澳门FZ800R17KF6C_B2,销售大量现货FZ800R17KF6C_B2FZ800R17KF6C_B2FZ800R17KF6C_B2IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性,但是在高电平时,功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降,转换成一个低VCE(sat)的能力,以及IGBT的结构,同一个双极器件相比,可支持更高电流密度,并简化IGBT驱动器的原理图6、IGBT/FRD特点:击穿电压可达1200V,集电极大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作可达20kHz。澳门FZ800R17KF6C_B2,销售大量现货澳门FZ800R17KF6C_B2,销售大量现货澳门FZ800R17KF6C_B2,销售大量现货NPT(非穿通型)--IGBT采用薄硅片技术,以离子注进发射区代替高复杂、高本钱的厚层高阻外延,可生产本钱25%左右,耐压越高本钱差越大,在性能上更具有特色,高速、低损耗、正温度系数,无锁定效应,在设计600—1200V的IGBT时,NPT—IGBT可靠性高。西门子公司可提供600V、1200V、1700V系列产品和6500V高压IGBT,并推出低饱和压降DLC型NPT—IGBT,依克赛斯、哈里斯、英特西尔、东芝等公司也相继研制出NPT—IGBT及其模块系列,富士电机、摩托罗拉等在研制之中,NPT型正成为IGBT发展方向。FZ800R17KF6C_B2
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