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广西壮族自治区FF100R12RT4,销售大量现货

产品名称: 广西壮族自治区FF100R12RT4,销售大量现货
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广西壮族自治区FF100R12RT4,销售大量现货


广西壮族自治区FF100R12RT4,销售大量现货  的详细介绍
IGBT功率模块采用IC驱动,各种驱动保护电路,高性能IGBT芯片,新型封装技术,从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展,其产品水平为1200—1800A/1800—3300V,IPM除用于变频调速外,600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB,用于舰艇上的发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB,大大电路接线电感,进步效率,现已成功第二代IPEM,其中所有的无源元件以埋层掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热门。广西壮族自治区FF100R12RT4,销售大量现货广西壮族自治区FF100R12RT4,销售大量现货广西壮族自治区FF100R12RT4,销售大量现货FF100R12RT4FF100R12RT4FF100R12RT4IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性,但是在高电平时,功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降,转换成一个低VCE(sat)的能力,以及IGBT的结构,同一个双极器件相比,可支持更高电流密度,并简化IGBT驱动器的原理图将万用表拨在R×10KΩ挡,用黑表笔接IGBT 的集电极(C),红表笔接IGBT 的发射极(E),此时万用表的指针在零位。用同时触及一下栅极(G)和集电极(C),这时IGBT 被触发导通,万用表的指针摆向阻值较小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用同时触及一下栅极(G)和发射极(E),这时IGBT 被,万用表的指针回零。此时即可判断IGBT 是好的。IGBT应用范围一般都在600V、1KA、1KHz以上区域,为家电行业的发展需求,摩托罗拉、ST半导体、三菱等公司推出低功率IGBT产品,实用于家电行业的微波炉、洗衣机、电磁灶、电子整流器、照相机等产品的应用。整流器IR公司的研发重点在于IGBT的拖尾效应,使其能快速关断,研制的超快速IGBT可大限度地拖尾效应,关断时间不超过2000ns,采用特殊高能照射分层技术,关断时间可在100ns以下,拖尾更短,重点产品专为电机控制而设计,现有6种型号,另可用在大功率电源变换器中。IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。广西壮族自治区FF100R12RT4,销售大量现货广西壮族自治区FF100R12RT4,销售大量现货广西壮族自治区FF100R12RT4,销售大量现货FF100R12RT4
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