产品资料

广西壮族自治区FZ800R16KF4,型号大量现货

产品名称: 广西壮族自治区FZ800R16KF4,型号大量现货
产品型号:
产品展商: JOONGWON
产品文档: 无相关文档

简单介绍

广西壮族自治区FZ800R16KF4,型号大量现货


广西壮族自治区FZ800R16KF4,型号大量现货  的详细介绍
2、U-IGBT4、SDB--IGBTIGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写,IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,它融合了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压而容量大的优点,其特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz范围内,在现代电力电子技术中了越来越广泛的应用,在较高的大、率应用中占据了主导地位。广西壮族自治区FZ800R16KF4,型号大量现货广西壮族自治区FZ800R16KF4,型号大量现货广西壮族自治区FZ800R16KF4,型号大量现货广西壮族自治区FZ800R16KF4,型号大量现货FZ800R16KF4FZ800R16KF4FZ800R16KF4广西壮族自治区FZ800R16KF4,型号大量现货
IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性。
IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时,漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它与GTR 的输出特性相似.也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ,正向电压由J2 结承担,反向电压由J1结承担。如果无N+缓冲区,则正反向电压可以做到同样水平,加入N+缓冲区后,反向关断电压只能达到几十伏水平,因此了IGBT 的某些应用范围。
IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同,当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时,IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内, Id 与Ugs呈线性关系。高栅源电压受大漏极电流,其佳值一般取为15V左右。IGBT动态特性
动态特性又称开关特性,IGBT的开关特性分为两大部分:一是开关速度,主要指标是开关中各部分时间;另一个是开关中的损耗。
IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT 处于导通态时,由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管,所以其B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构,但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。此时,通态电压Uds(on) 可用下式表示::
Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRohU(沟槽结构)--IGBT是在管芯上刻槽,芯片元胞内部形成沟槽式栅极。采用沟道结构后,可进一步缩小元胞尺寸,沟道电阻,进步电流密度,制造相同额定电流而芯片尺寸少的产品。现有多家公司生产各种U—IGBT产品,适用低电压驱动、表面贴装的要求。输出特性与转移特性:广西壮族自治区FZ800R16KF4,型号大量现货广西壮族自治区FZ800R16KF4,型号大量现货广西壮族自治区FZ800R16KF4,型号大量现货FZ800R16KF4FZ800R16KF4
式中Uj1 —— JI 结的正向电压,其值为0.7 ~1V ;Udr ——扩展电阻Rdr 上的压降;Roh ——沟道电阻。
通态电流Ids 可用下式表示:
Ids=(1+Bpnp)Imos
式中Imos ——流过MOSFET 的电流。整流器IR公司的研发重点在于IGBT的拖尾效应,使其能快速关断,研制的超快速IGBT可大限度地拖尾效应,关断时间不超过2000ns,采用特殊高能照射分层技术,关断时间可在100ns以下,拖尾更短,重点产品专为电机控制而设计,现有6种型号,另可用在大功率电源变换器中。IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。3、NPT-IGBT广西壮族自治区FZ800R16KF4,型号大量现货广西壮族自治区FZ800R16KF4,型号大量现货广西壮族自治区FZ800R16KF4,型号大量现货FZ800R16KF4FZ800R16KF4
由于N+ 区存在电导调制效应,所以IGBT 的通态压降小,耐压1000V的IGBT 通态压降为2 ~ 3V 。IGBT 处于断态时,只有很小的泄漏电流存在。
IGBT 在开通中,大部分时间是作为MOSFET 来运行的,只是在漏源电压Uds 下降后期, PNP 晶体管由放大区至饱和,又了一段时间。td(on) 为开通时间,tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton 即为td (on) tri 之和,漏源电压的下降时间由tfe1 和tfe2 组成。IGBT的伏安特性是指以栅极电压VGE为参变量时,集电极电流IC与集电极电压VCE之间的关系曲线。IGBT的伏安特性与BJT的输出特性相似,也可分为饱和区I、放大区II和击穿区III三部分。IGBT作为开关器件稳态时主要工作在饱和导通区。IGBT的转移特性是指集电极输出电流IC与栅极电压之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性相同,当栅极电压VGE小于开启电压VGE(th)时,IGBT处于关断状态。在IGBT导通后的大部分集电极电流范围内,IC与VGE呈线性关系。若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOS 截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件,在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压,只有在u的漏电流流过,基本上不消耗功率。6、IGBT/FRD广西壮族自治区FZ800R16KF4,型号大量现货广西壮族自治区FZ800R16KF4,型号大量现货广西壮族自治区FZ800R16KF4,型号大量现货广西壮族自治区FZ800R16KF4,型号大量现货FZ800R16KF4FZ800R16KF4
产品留言
标题
联系人
联系电话
内容
验证码
点击换一张
注:1.可以使用快捷键Alt+S或Ctrl+Enter发送信息!
2.如有必要,请您留下您的详细联系方式!

京公网安备 11022802180403号