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广西壮族自治区FF800R12KE3,型号大量现货

产品名称: 广西壮族自治区FF800R12KE3,型号大量现货
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广西壮族自治区FF800R12KE3,型号大量现货


广西壮族自治区FF800R12KE3,型号大量现货  的详细介绍
任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时,一定要将万用 表拨在R×10KΩ挡,因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低,检测好坏时不能使IGBT 导通,而无法判断IGBT 的好坏。此同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOS 截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件,在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压,只有在u的漏电流流过,基本上不消耗功率。2、U-IGBT3、NPT-IGBT广西壮族自治区FF800R12KE3,型号大量现货广西壮族自治区FF800R12KE3,型号大量现货广西壮族自治区FF800R12KE3,型号大量现货广西壮族自治区FF800R12KE3,型号大量现货FF800R12KE3FF800R12KE3FF800R12KE3广西壮族自治区FF800R12KE3,型号大量现货
IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性。
IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时,漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它与GTR 的输出特性相似.也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ,正向电压由J2 结承担,反向电压由J1结承担。如果无N+缓冲区,则正反向电压可以做到同样水平,加入N+缓冲区后,反向关断电压只能达到几十伏水平,因此了IGBT 的某些应用范围。
IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同,当栅源电压小于开启电压Ugs(th) 时,IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内, Id 与Ugs呈线性关系。高栅源电压受大漏极电流,其佳值一般取为15V左右。IGBT动态特性
动态特性又称开关特性,IGBT的开关特性分为两大部分:一是开关速度,主要指标是开关中各部分时间;另一个是开关中的损耗。
IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT 处于导通态时,由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管,所以其B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构,但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。此时,通态电压Uds(on) 可用下式表示::
Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh4、SDB--IGBTMOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。判断好坏广西壮族自治区FF800R12KE3,型号大量现货广西壮族自治区FF800R12KE3,型号大量现货广西壮族自治区FF800R12KE3,型号大量现货FF800R12KE3FF800R12KE3
式中Uj1 —— JI 结的正向电压,其值为0.7 ~1V ;Udr ——扩展电阻Rdr 上的压降;Roh ——沟道电阻。
通态电流Ids 可用下式表示:
Ids=(1+Bpnp)Imos
式中Imos ——流过MOSFET 的电流。7、IGBT功率模块将万用表拨在R×10KΩ挡,用黑表笔接IGBT 的集电极(C),红表笔接IGBT 的发射极(E),此时万用表的指针在零位。用同时触及一下栅极(G)和集电极(C),这时IGBT 被触发导通,万用表的指针摆向阻值较小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用同时触及一下栅极(G)和发射极(E),这时IGBT 被,万用表的指针回零。此时即可判断IGBT 是好的。IGBT应用范围一般都在600V、1KA、1KHz以上区域,为家电行业的发展需求,摩托罗拉、ST半导体、三菱等公司推出低功率IGBT产品,实用于家电行业的微波炉、洗衣机、电磁灶、电子整流器、照相机等产品的应用。广西壮族自治区FF800R12KE3,型号大量现货广西壮族自治区FF800R12KE3,型号大量现货广西壮族自治区FF800R12KE3,型号大量现货FF800R12KE3FF800R12KE3
由于N+ 区存在电导调制效应,所以IGBT 的通态压降小,耐压1000V的IGBT 通态压降为2 ~ 3V 。IGBT 处于断态时,只有很小的泄漏电流存在。
IGBT 在开通中,大部分时间是作为MOSFET 来运行的,只是在漏源电压Uds 下降后期, PNP 晶体管由放大区至饱和,又了一段时间。td(on) 为开通时间,tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton 即为td (on) tri 之和,漏源电压的下降时间由tfe1 和tfe2 组成。主要优点:热性好、工作区大。检测注意事项鉴于目前厂家对IGBT的非常,三星、快捷等公司采用SDB(硅片直接键合)技术,在IC生产线上制作高速IGBT及模块系列产品,特点为高速,低饱和压降,低拖尾电流,正温度系数易于并联,在600V和1200V电压范围性能优良,分为UF、RUF两大。广西壮族自治区FF800R12KE3,型号大量现货广西壮族自治区FF800R12KE3,型号大量现货广西壮族自治区FF800R12KE3,型号大量现货广西壮族自治区FF800R12KE3,型号大量现货FF800R12KE3FF800R12KE3
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