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广西壮族自治区BSM300GB120DN2_E3256,销售大量现货

产品名称: 广西壮族自治区BSM300GB120DN2_E3256,销售大量现货
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广西壮族自治区BSM300GB120DN2_E3256,销售大量现货


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特点:击穿电压可达1200V,集电极大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作可达20kHz。6、IGBT/FRD广西壮族自治区BSM300GB120DN2_E3256,销售大量现货广西壮族自治区BSM300GB120DN2_E3256,销售大量现货广西壮族自治区BSM300GB120DN2_E3256,销售大量现货BSM300GB120DN2_E3256BSM300GB120DN2_E3256BSM300GB120DN2_E3256IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性,但是在高电平时,功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降,转换成一个低VCE(sat)的能力,以及IGBT的结构,同一个双极器件相比,可支持更高电流密度,并简化IGBT驱动器的原理图IGBT与MOSFET的对比:IR公司在IGBT基础上推出两款结合FRD(快速恢复二极管)的新型器件,IGBT/FRD有效结合,将转换状态的损耗20%,采用TO—247外型封装,额定规格为1200V、25、50、75、100A,用于电机驱动和功率转换,以IGBT及FRD为基础的新技术便于器件并联,在多芯片模块中实现更均匀的温度,进步整体可靠性。检测注意事项3、NPT-IGBT广西壮族自治区BSM300GB120DN2_E3256,销售大量现货广西壮族自治区BSM300GB120DN2_E3256,销售大量现货广西壮族自治区BSM300GB120DN2_E3256,销售大量现货若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOS 截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件,在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压,只有在u的漏电流流过,基本上不消耗功率。BSM300GB120DN2_E3256
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