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广西壮族自治区FF150R12KE3G,图片大量现货

产品名称: 广西壮族自治区FF150R12KE3G,图片大量现货
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广西壮族自治区FF150R12KE3G,图片大量现货  的详细介绍
IGBT的伏安特性是指以栅极电压VGE为参变量时,集电极电流IC与集电极电压VCE之间的关系曲线。IGBT的伏安特性与BJT的输出特性相似,也可分为饱和区I、放大区II和击穿区III三部分。IGBT作为开关器件稳态时主要工作在饱和导通区。IGBT的转移特性是指集电极输出电流IC与栅极电压之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特性相同,当栅极电压VGE小于开启电压VGE(th)时,IGBT处于关断状态。在IGBT导通后的大部分集电极电流范围内,IC与VGE呈线性关系。将万用表拨在R×10KΩ挡,用黑表笔接IGBT 的集电极(C),红表笔接IGBT 的发射极(E),此时万用表的指针在零位。用同时触及一下栅极(G)和集电极(C),这时IGBT 被触发导通,万用表的指针摆向阻值较小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用同时触及一下栅极(G)和发射极(E),这时IGBT 被,万用表的指针回零。此时即可判断IGBT 是好的。IGBT全称绝缘栅双极晶体管,是MOSFET和GTR(功率晶管)相结合的产物。它的三个极分别是集电极(C)、发射极(E)和栅极(G)。广西壮族自治区FF150R12KE3G,图片大量现货广西壮族自治区FF150R12KE3G,图片大量现货广西壮族自治区FF150R12KE3G,图片大量现货FF150R12KE3GFF150R12KE3G广西壮族自治区FF150R12KE3G,图片大量现货
左边所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+区称为源区,附于其上的电极称为源极(即发射极E)。N基极称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极(即门极G)。沟道在栅区边界形成。在C、E两极之间的P型区(包括P+和P-区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区(Subchannel region)。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区(Drain injector),它是IGBT特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极(即集电极C)整流器IR公司的研发重点在于IGBT的拖尾效应,使其能快速关断,研制的超快速IGBT可大限度地拖尾效应,关断时间不超过2000ns,采用特殊高能照射分层技术,关断时间可在100ns以下,拖尾更短,重点产品专为电机控制而设计,现有6种型号,另可用在大功率电源变换器中。3、NPT-IGBT广西壮族自治区FF150R12KE3G,图片大量现货广西壮族自治区FF150R12KE3G,图片大量现货广西壮族自治区FF150R12KE3G,图片大量现货FF150R12KE3GFF150R12KE3G。
IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流,使IGBT导通。反之,加反向门极电压沟道,切断基极电流,使IGBT关断。IGBT的驱动和MOSFET基本相同,只需控制输入极N-沟道MOSFET,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后,从P+基极注入到N-层的空穴(少子),对N-层进行电导调制,减小N-层的电阻,使IGBT在高电压时,也具有低的通态电压若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压,则MOSFET导通,这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通;若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V,则MOS 截止,切断PNP晶体管基极电流的供给,使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件,在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压,只有在u的漏电流流过,基本上不消耗功率。6、IGBT/FRD特点:击穿电压可达1200V,集电极大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作可达20kHz。IGBT(绝缘栅双极晶体管)作为新型电力半导体场控自关断器件,集功率MOSFET的高速性能与双极件的低电阻于一体,具有输进阻抗高,电压控制功耗低,控制电路简单,耐高压,承受电流大等特性,在各种电力变换中极广泛的应用。与此同时,各大半导体生产厂商不断IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠、低本钱技术,主要采用1um以下制作工艺,研制取得一些新进展。 [3] 广西壮族自治区FF150R12KE3G,图片大量现货广西壮族自治区FF150R12KE3G,图片大量现货广西壮族自治区FF150R12KE3G,图片大量现货广西壮族自治区FF150R12KE3G,图片大量现货广西壮族自治区FF150R12KE3G,图片大量现货FF150R12KE3GFF150R12KE3GFF150R12KE3GFF150R12KE3G
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