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广西壮族自治区FZ1000R12KF4_S1,销售大量现货

产品名称: 广西壮族自治区FZ1000R12KF4_S1,销售大量现货
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广西壮族自治区FZ1000R12KF4_S1,销售大量现货


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IGBT与MOSFET的对比:广西壮族自治区FZ1000R12KF4_S1,销售大量现货广西壮族自治区FZ1000R12KF4_S1,销售大量现货广西壮族自治区FZ1000R12KF4_S1,销售大量现货FZ1000R12KF4_S1FZ1000R12KF4_S1FZ1000R12KF4_S1IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性,但是在高电平时,功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降,转换成一个低VCE(sat)的能力,以及IGBT的结构,同一个双极器件相比,可支持更高电流密度,并简化IGBT驱动器的原理图1、低功率IGBTU(沟槽结构)--IGBT是在管芯上刻槽,芯片元胞内部形成沟槽式栅极。采用沟道结构后,可进一步缩小元胞尺寸,沟道电阻,进步电流密度,制造相同额定电流而芯片尺寸少的产品。现有多家公司生产各种U—IGBT产品,适用低电压驱动、表面贴装的要求。IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写,IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,它融合了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压而容量大的优点,其特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz范围内,在现代电力电子技术中了越来越广泛的应用,在较高的大、率应用中占据了主导地位。广西壮族自治区FZ1000R12KF4_S1,销售大量现货广西壮族自治区FZ1000R12KF4_S1,销售大量现货广西壮族自治区FZ1000R12KF4_S1,销售大量现货输出特性与转移特性:FZ1000R12KF4_S1
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