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广西壮族自治区FZ1000R16KF4,销售大量现货

产品名称: 广西壮族自治区FZ1000R16KF4,销售大量现货
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广西壮族自治区FZ1000R16KF4,销售大量现货


广西壮族自治区FZ1000R16KF4,销售大量现货  的详细介绍
输出特性与转移特性:IR公司在IGBT基础上推出两款结合FRD(快速恢复二极管)的新型器件,IGBT/FRD有效结合,将转换状态的损耗20%,采用TO—247外型封装,额定规格为1200V、25、50、75、100A,用于电机驱动和功率转换,以IGBT及FRD为基础的新技术便于器件并联,在多芯片模块中实现更均匀的温度,进步整体可靠性。特点:击穿电压可达1200V,集电极大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上,工作可达20kHz。广西壮族自治区FZ1000R16KF4,销售大量现货广西壮族自治区FZ1000R16KF4,销售大量现货广西壮族自治区FZ1000R16KF4,销售大量现货FZ1000R16KF4FZ1000R16KF4FZ1000R16KF4IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道,而这个通道却具有很高的电阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征,IGBT了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性,但是在高电平时,功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降,转换成一个低VCE(sat)的能力,以及IGBT的结构,同一个双极器件相比,可支持更高电流密度,并简化IGBT驱动器的原理图主要优点:热性好、工作区大。IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写,IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为MOSFET,输出极为PNP晶体管,它融合了这两种器件的优点,既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点,又具有双极型器件饱和压而容量大的优点,其特性介于MOSFET与功率晶体管之间,可正常工作于几十kHz范围内,在现代电力电子技术中了越来越广泛的应用,在较高的大、率应用中占据了主导地位。4、SDB--IGBTMOSFET全称功率场效应晶体管。它的三个极分别是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。广西壮族自治区FZ1000R16KF4,销售大量现货广西壮族自治区FZ1000R16KF4,销售大量现货广西壮族自治区FZ1000R16KF4,销售大量现货FZ1000R16KF4
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