产品资料

广西壮族自治区FZ1800R17HP4_B29,图片大量现货

产品名称: 广西壮族自治区FZ1800R17HP4_B29,图片大量现货
产品型号:
产品展商: JOONGWON
产品文档: 无相关文档

简单介绍

广西壮族自治区FZ1800R17HP4_B29,图片大量现货


广西壮族自治区FZ1800R17HP4_B29,图片大量现货  的详细介绍
IGBT功率模块采用IC驱动,各种驱动保护电路,高性能IGBT芯片,新型封装技术,从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展,其产品水平为1200—1800A/1800—3300V,IPM除用于变频调速外,600A/2000V的IPM已用于电力机车VVVF逆变器。平面低电感封装技术是大电流IGBT模块为有源器件的PEBB,用于舰艇上的发射装置。IPEM采用共烧瓷片多芯片模块技术组装PEBB,大大电路接线电感,进步效率,现已成功第二代IPEM,其中所有的无源元件以埋层掩埋在衬底中。智能化、模块化成为IGBT发展热门。广西壮族自治区FZ1800R17HP4_B29,图片大量现货广西壮族自治区FZ1800R17HP4_B29,图片大量现货广西壮族自治区FZ1800R17HP4_B29,图片大量现货FZ1800R17HP4_B29FZ1800R17HP4_B29广西壮族自治区FZ1800R17HP4_B29,图片大量现货
左边所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+区称为源区,附于其上的电极称为源极(即发射极E)。N基极称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极(即门极G)。沟道在栅区边界形成。在C、E两极之间的P型区(包括P+和P-区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区(Subchannel region)。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区(Drain injector),它是IGBT特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极(即集电极C)3、NPT-IGBT鉴于目前厂家对IGBT的非常,三星、快捷等公司采用SDB(硅片直接键合)技术,在IC生产线上制作高速IGBT及模块系列产品,特点为高速,低饱和压降,低拖尾电流,正温度系数易于并联,在600V和1200V电压范围性能优良,分为UF、RUF两大。主要优点:热性好、工作区大。广西壮族自治区FZ1800R17HP4_B29,图片大量现货广西壮族自治区FZ1800R17HP4_B29,图片大量现货广西壮族自治区FZ1800R17HP4_B29,图片大量现货FZ1800R17HP4_B29FZ1800R17HP4_B29。
IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流,使IGBT导通。反之,加反向门极电压沟道,切断基极电流,使IGBT关断。IGBT的驱动和MOSFET基本相同,只需控制输入极N-沟道MOSFET,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后,从P+基极注入到N-层的空穴(少子),对N-层进行电导调制,减小N-层的电阻,使IGBT在高电压时,也具有低的通态电压将万用表拨在R×10KΩ挡,用黑表笔接IGBT 的集电极(C),红表笔接IGBT 的发射极(E),此时万用表的指针在零位。用同时触及一下栅极(G)和集电极(C),这时IGBT 被触发导通,万用表的指针摆向阻值较小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用同时触及一下栅极(G)和发射极(E),这时IGBT 被,万用表的指针回零。此时即可判断IGBT 是好的。IGBT应用范围一般都在600V、1KA、1KHz以上区域,为家电行业的发展需求,摩托罗拉、ST半导体、三菱等公司推出低功率IGBT产品,实用于家电行业的微波炉、洗衣机、电磁灶、电子整流器、照相机等产品的应用。7、IGBT功率模块检测注意事项广西壮族自治区FZ1800R17HP4_B29,图片大量现货广西壮族自治区FZ1800R17HP4_B29,图片大量现货广西壮族自治区FZ1800R17HP4_B29,图片大量现货广西壮族自治区FZ1800R17HP4_B29,图片大量现货广西壮族自治区FZ1800R17HP4_B29,图片大量现货FZ1800R17HP4_B29FZ1800R17HP4_B29FZ1800R17HP4_B29FZ1800R17HP4_B29
产品留言
标题
联系人
联系电话
内容
验证码
点击换一张
注:1.可以使用快捷键Alt+S或Ctrl+Enter发送信息!
2.如有必要,请您留下您的详细联系方式!

京公网安备 11022802180403号